太仓名人邹世昌介绍
邹世昌，1931年7月27日出生于上海市，材料科学家，中国科学院学部委员，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师、原所长 。
邹世昌于1949年考入中国纺织工学院；1952年从交通大学唐山工学院毕业，之后进入中国科学院上海冶金陶瓷研究所工作，担任研究实习员；1953年进入北京俄语专修学校学习；1954年赴苏留学；1958年获得前苏联莫斯科有色金属学院副博士学位后回国，进入中国科学院上海冶金研究所工作，先后担任助理研究员、副研究员，室主任、大组长、研究员 ；1983年至1997年担任中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长 ；1991年当选为中国科学院学部委员（院士） ；2021年被评为全国优秀共产党员 。
邹世昌在中国国内较早开展了离子束材料改性与离子束分析的研究工作 。
邹世昌人物经历
1931年7月27日，邹世昌出生于上海市，原籍江苏省太仓市。
1949年初，从上海格致中学毕业，考入了由申新纱厂创办的中国纺织工学院（现东华大学）学习。
1950年，进入交通大学唐山工学院（现西南交通大学）冶金工程系学习 。
1952年，从交通大学唐山工学院毕业，之后进入中国科学院上海冶金陶瓷研究所（现中国科学院上海微系统与信息技术研究所）工作，担任研究实习员 。
1953年，进入北京俄语专修学校学习。
1954年，赴苏留学，前往前苏联莫斯科有色金属学院学习。
1958年，从前苏联莫斯科有色金属学院毕业，获得副博士学位，之后回国进入中国科学院上海冶金研究所（现中国科学院上海微系统与信息技术研究所）工作，先后担任助理研究员、副研究员，室主任、大组长、研究员。
1983年—1997年，担任中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长 。
1986年7月，担任中国科学院上海冶金研究所博士生导师。
1991年，当选为中国科学院学部委员（院士） 。
邹世昌主要成就
科研综述
邹世昌于20世纪60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作，对技术路线进行优选决策。20世纪70年代以后在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作。独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。用全离子注入技术研制成中国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅。研究SOI材料并制成CMOS／SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜 。
学术论著
根据2021年11月中国科学院上海微系统与信息技术研究所网站显示，邹世昌先后发表文章200多篇 。
学术交流
1988至1999期间，邹世昌和柳襄怀发起并组织了六届中日及六届中韩双边离子束研究学术讨论会，长期担任两个双边学术会议的中方主席和会议主席 。
科研项目
项目时间
项目名称
备注
2009年1月—2012年12月
0.13微米SOI/CMOS工艺平台
参与，国家级
2014年10月—2018年12月
130nm KFZ SOI CMOS工艺平台
主持，国家级
科研成果奖励
根据2021年11月中国科学院上海微系统与信息技术研究所网站显示，邹世昌先后获得国家发明一等奖和中国科学院自然科学、科技进步等14项奖励 。
获奖时间
项目名称
奖励名称
1978年
离子注入技术
全国科学大会奖
1982年
中国科学院重大科技成果奖二等奖
1984年
甲种分离膜的制造技术
国家发明奖一等奖
1987年
中国科学院科学技术进步奖二等奖
1989年
国家科学技术进步奖三等奖
1990年
国家自然科学奖二等奖
1990年
中国科学院科学技术进步奖一等奖
1990年
中国科学院自然科学奖二等奖
1997年
离子束增强沉积及其应用
中国科学院发明奖二等奖（排名第七）
指导学生
根据2021年11月中国科学院上海微系统与信息技术研究所网站显示，邹世昌先后培养博士生30多名 。
教育成果奖励
2008年邹世昌被评为中国科学院研究生院杰出贡献教师 。
时间
荣誉表彰
授予单位
1989年
上海市劳动模范
1991年
中国科学院学部委员（院士）
中华人民共和国国务院
2003年
上海浦东开发建设杰出人才
2008年
中国半导体产业开拓奖
国际半导体设备材料协会（SEMI）
2009年
聚焦张江十周年科技领军精英奖
2010年
上海市集成电路行业协会特等奖
2015年11月
上海科普教育创新奖科普贡献奖（个人）一等奖
2021年6月
全国优秀共产党员
中国共产党中央委员会组织部
2021年7月
上海市优秀共产党员
2021年9月
感动上海年度人物
上海市委宣传部、市文明办
邹世昌人物评价
邹世昌用行动演绎出老一辈科学家艰苦奋斗、刻苦攻关、团结协作、锲而不舍的精神，用他的人生轨迹诠释了新时期科学家敢为天下先、勇攀科学高峰的风范，为国家科技事业做出了突出贡献 。（中国科学院上海微系统与信息技术研究所党委副书记、纪委书记张帆评）
邹世昌用自己的实际行动振兴中国微电子产业，为上海乃至中国集成电路产业的发展做出了突出贡献，也为集成电路领域培养了很多优秀人才 。（基材料与集成器件实验室主任董业民评）
邹世昌立志于国家的科技进步和经济建设，是新中国培养的第一代知识分子和留苏学子。他不忘初心、牢记使命，充分发挥党员科学家的先锋模范作用，做出了诸多具有开创性和里程碑意义的杰出成就。他是中国国内离子束研究的先驱，他对提升中国在离子束领域的学术地位发挥了重要作用，为中国集成电路核心技术的发展奠定了坚实基础 。（上海科技党建评）
邹世昌补充介绍
邹世昌，材料科学家。原籍江苏太仓，1931年7月27日生于上海。1952年毕业于唐山交通大学冶金工程系。1958年获苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。中国科学院上海冶金研究所研究员。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。
60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作，对技术路线进行优选决策。70年代以后在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作。独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。用全离子注入技术研制成中国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅。研究SOI材料并制成CMOS／SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。
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