天津名人李志坚介绍
李志坚（1928年5月1日-2011年5月2日），男，汉族，浙江宁波人，微电子技术专家，中国科学院院士，清华大学教授、半导体教研组主任、微电子学研究所长。
李志坚于1951年毕业于浙江大学物理系；1958年获列宁格勒国立大学物理—数学副博士学位，回国后在清华大学任教；1991年当选为中国科学院学部委员（院士）；2011年5月2日逝世，享年83岁。
李志坚主要从事半导体和微电子科技方面的研究。
李志坚人物生平
1928年5月1日，李志坚出生于浙江宁波北仑区柴桥镇。
1934年，入读北仑柴桥小学。
1940年，入读镇海中学。
1951年，本科毕业于浙江大学物理系，同年入同济大学物理系任助教。
1953年，进入列宁格勒国立大学（今俄罗斯彼得堡大学）物理系研究生学习。
1958年初，获列宁格勒国立大学物理—数学副博士学位，回国后在清华大学任教。
1991年，当选为中国科学院学部委员（院士）。
2011年5月2日凌晨，因病逝世。
李志坚主要成就
科研综述
20世纪50年代初，李志坚在半导体薄膜光电导和光电机理研究中，提出电子晶粒间界理论，在此基础上研制成高信噪比硫化铅红外探测器。1959年研制成高超纯多晶硅。20世纪60年代从事硅器件研究，其中平面硅工艺及高反压硅高频三极管成果，促进了中国国内有关的研究和生产。1977年以后主要从事大规模、超大规模集成技术及器件物理的研究，领导、指导和直接参与了多种静态存储器，8位、16位高速微处理器、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）和1兆位汉字ROM等超大规模集成电路芯片的研制工作，并取得成功。同时开发出3微米和1微米成套工艺技术。指导并发明半导体红外高速退火技术和设备。
学术论著
截至2016年11月，李志坚主编出版了《半导体材料硅》《MOS大规模集成技术》《微电子技术中的MOS物理》等书，在中国国内外发表了论文200余篇。
MOS大规模集成技术进展.见:MOS大规模集成技术（上册）[M].北京:科学出版社，1984.
硅耗尽层少于产生率的强电场效应[J].半导体学报，1985，6(1):1.
硅耗尽层准二维系统室温电子隧道能谱[J].半导体学报 ,1985, 6(3):236.
MOS 界面电荷瞬态谱方法[J].半导体学报.1985，6(5):458.
MOS 技术中的 Si-Si02介面物理.见:半导体器件研究与发展[M].北京:科学出版社，1988.
一种新的 MOS 电流型逻辑电路[J].电子学报 ，1988，10(2)，51.
VLSI 成品率统计中的缺陷成因效应及统计参数与面积的关系[J].半导体学报，1988,9(3):245.( 合作者 : 张钟宣 )
一种新的有沟道注入的短沟 MOSFET 的调电压解析模型[J] .电子学报，1990，18(11): 9.( 合作者 : 陈文同 )
A novel pressure sensor structure for integrated sensor Sensots and Actuatore[J]. 1990, (A21-23):62.(with Wang Yuelin,Liu Litian).
Defect free silicon film on silion dioxide formed by some melting recrystallization with high apeed, IEEE Trane, on Electron Devices[J].1990,ED37:952.(with Liu Lianjun, Qian Peixin).
90年代的微电子技术[J].中国科学院院报，1991(1):23.
一种基于浮栅 NMOS 晶体管的可编程神经网络芯的设计和应用[J]，电子学报 ,1992,20(10):48.
滑雪崩应力下热电子注入引起的 MOSFET 退变特性研究[J].半导体学报 ,1993,14,12:723.( 合作者 : 程玉华、要瑞伟 ).
The on-ehip detection of micromotor rotational speed.Sensors and Actuators[J],1995,A48:81.(with Sun Xiqing,Liu Litian).
一种对称高分辨精度的多端电流 MAX 门和 MIN 门电路[J].半导体学报，1995,16,6:453.( 合作者 : 李斌桥、石秉学 ).
New methods for measuring mechanical properties of thin films in micro-machining, beam pull-in voltage (VPI)method and long beam deflection (LBD)method.Sensors and Actuators[J],1995,A48:137.(with Li Binqiao,shi Bingxue).
BMHMT----Bi-MOS 混合模式晶体管[J].电子学报，1995,23,11:11.( 合作者 : 陈萍、刘理天 )
一种模拟集成电路 Hamming 神经网络及其应用[J].半导体学报，1996，17(3):217.( 合作者 : 李斌桥、石秉学 ).
Design and fabrication of single wafer silicon condensor microphone using corrugated diaphragm.IEEE J.of MEMS[J],1996:5(3).(with Zou Quanbo,Liu Litian).
科研成果奖励
获奖时间
获奖项目
奖项等级
1987年7月
大规模、超大规模集成电路研制及3微米工艺技术开发
国家科学技术进步二等奖
1991年10月21日
离子注入半导体瞬时退火设备
中国专利金奖
1993年12月1日
1-1.5微米成套工艺开发及一兆位汉字库只读存储器
国家科学技术进步一等奖
学生培养
李志坚长期在高等学校任教，是解放后中国首批博士生导师，培养了许多微电子和其他方面的优秀人才。 他培养的学生有很多，如中国科学院微电子所的吴德馨院士和中国科学院半导体所的郑厚植院士，如创办展讯通信有限公司并获国家科技进步一等奖的陈大同博士和数次担任国家科技部973项目首席科学家的中科院微电子系统所王跃博士。
教授课程
李志坚的教授课程凝聚态物理。
研究领域
李志坚的研究领域为半导体物理。
获奖时间
奖项
颁发单位
1979年
北京市劳动模范
1979年12月
全国劳动模范
1984年
国家级有突出贡献的中青年专家
1991年
中国科学院学部委员（院士）
中华人民共和国国务院
1997年
陈嘉庚信息科学奖
2000年
何梁何利基金科学与技术进步奖
2003年
清华大学“教书育人奖”
李志坚人物评价
李志坚是中国MEMS和SOC技术研究的先驱者，六十年的学术生涯，是他从一个立志报国的青年成长为一名杰出的微电子学专家的历程。（科普中国评）
李志坚是中国硅基半导体科学研究的奠基人和开创者。（中国科学院学部评）
李志坚对科研方向的准确把握，受到他的领导和同事的广泛称赞，他身上的谦逊和豁达是他一生中遇到挫折的淬炼，而他的宏大和敏锐则成就了他一生的功业。（中国科学报评）
李志坚补充介绍
李志坚，汉族，1940年8月生，天津市人。1961年9月加入中国共产党。1964年9月参加工作。中国人民大学工业经济系毕业，研究生学历。1957年9月在中国人民大学工业经济系工业经济专业学习。1961年9月在中国人民大学工业经济系研究生班学习。1964年9月中国人民大学工业经济系教师。1971年1月历任北京日报社记者、工商部副主任、评论部主任、理论部主任、副总。1984年11月中共北京市委宣传部副部长、市委整党办公室副主任。1987年3月中共北京市大兴县委书记。1987年12月中共-、大兴县委书记。1988年9月中共-、市委宣传部部长。1992年12月中共北京市委副书记、市委宣传部部长。1994年3月中共北京市委副书记。2000年4月国家体育总局党组书记、副局长。2001年12月国家体育总局副局长、党组书记、全国体育总会主席。2005年12月全国体育总会主席。2006年1月全国体育总会名誉主席。第29届奥林匹克运动会组织委员会副主席。曾任中国奥委会副主席，国际武术联合会主席、名誉会长。第十一届全国人大教育科学文化卫生委员会副主任委员。中共第十五、十六届中央候补委员。因病医治无效，于2016年3月29日23时10分在北京友谊医院逝世，享年76岁。
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